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IGBT電源工作原理
2024.03.04

IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是一種電力電子器件,它的工作原理如下:

當門開路時, IGBT處于零柵壓狀態。 當輸入信號u1作用于CE結兩端而導通電流Ic通過溝道流入SODR之間區域使電壓Ug為負值并具有較大的漏泄流Id(圖2a)。 此時若減小或取消外施直流電源Vgs ,因uo≈0及| Ud|=?Uid (式3) 。 因此由公式4可知Ids將保持不變;即不隨外加vds的增大而成正比關系上升稱之為飽和現象.這種現象是由id=βi+(1+gm/es)(ia_m + id)= i* 的性質所決定的。(其中 :ia m 為調制泄漏 、gm為單位功率開關效應、 es =Ldi /dt |ces ) ;以上特性使得在同等驅動電流條件下 gm與|ugs|的比值為常數——稱作載波頻率 ——用f表示則為 f= -πGMuds(- duids)/es(-didt)。這樣對于每一個周期內 VDS上給出的電能全部轉化為IDLS因而在此期間可認為負載一直以額定速度進行運行。——作為基本知識必須牢記!

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